APS04N60H - описание и поиск аналогов

 

APS04N60H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APS04N60H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 620 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для APS04N60H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APS04N60H даташит

 ..1. Size:198K  ape
 aps04n60h.pdf pdf_icon

APS04N60H

APS04N60H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 620V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.5 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description APS04N60 series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achieve the l

 0.1. Size:57K  ape
 aps04n60h-hf.pdf pdf_icon

APS04N60H

APS04N60H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 620V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.5 Simple Drive Requirement ID 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description APS04N60 series are specially designed as main switching devices for universal 90 265VAC off-line AC/DC con

Другие MOSFET... AP09N20H , AP09N20J , AP70T15GI , AP02N90P , AP72T02GH , AP83T03GJ , AP95T10GI , AP04N60J , BS170 , AP03N70H , AP03N70J , AP3P9R0H , AP3P9R0J , AP3P9R0JB , AP3P9R0P , AP6679BGH , AP6679BGJ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.