Справочник MOSFET. APS04N60H

 

APS04N60H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APS04N60H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 620 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для APS04N60H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APS04N60H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ape
 aps04n60h.pdf pdf_icon

APS04N60H

APS04N60H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 620VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.5 Simple Drive Requirement ID 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAPS04N60 series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achieve the l

 0.1. Size:57K  ape
 aps04n60h-hf.pdf pdf_icon

APS04N60H

APS04N60H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 620VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.5 Simple Drive Requirement ID 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAPS04N60 series are specially designed as main switching devices foruniversal 90~265VAC off-line AC/DC con

Другие MOSFET... AP09N20H , AP09N20J , AP70T15GI , AP02N90P , AP72T02GH , AP83T03GJ , AP95T10GI , AP04N60J , 18N50 , AP03N70H , AP03N70J , AP3P9R0H , AP3P9R0J , AP3P9R0JB , AP3P9R0P , AP6679BGH , AP6679BGJ .

History: SI7703EDN | 2SK2127 | IXFR12N100F | APT22F100J | AFN7472S | DH1K1N10B | CS1119

 

 
Back to Top

 


 
.