IRFE330 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFE330
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 33(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: LCC18
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IRFE330 Datasheet (PDF)
irfe330.pdf
PD - 91718BIRFE330REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6800UHEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6800USURFACE MOUNT (LCC-18) [REF:MIL-PRF-19500/557]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE330 400V 1.0 3.0ALCC-18The leadless chip carrier (LCC) package represents thelogical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged t
irfe320.pdf
PD - 93985REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFE320HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6792USURFACE MOUNT (LCC-18) JANTXV2N6792U[REF:MIL-PRF-19500/555] 400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFE320 400V 1.8 1.8AThe leadless chip carrier (LCC) package represents theLCC-18logical next step in the continual evolution of surfacemount technology. Desinged t
irfe310.pdf
PD - 91782IRFE310REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6786UHEXFET TRANSISTOR JANTXV2N6786U[REF:MIL-PRF-19500/556]N - CHANNEL 400Volt, 3.6, HEXFETProduct SummaryThe leadless chip carrier (LCC) package representsPart Number BVDSS RDS(on) IDthe logical next step in the continual evolution ofIRFE310 400V 3.6 1.25Asurface mount technology. T
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Liste
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