AP9567GH Todos los transistores

 

AP9567GH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9567GH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de AP9567GH MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP9567GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  ape
ap9567gh.pdf pdf_icon

AP9567GH

AP9567GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID -22AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP9567 series are from Advanced Power innovated design and siliconDSprocess technology to achieve

 0.1. Size:101K  ape
ap9567gh-hf.pdf pdf_icon

AP9567GH

AP9567GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID -22AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGDThe TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrialSTO-252(H)surface mount a

 7.1. Size:70K  ape
ap9567gm.pdf pdf_icon

AP9567GH

AP9567GMPb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETSimple Drive Requirement BVDSS -40V DDLow On-resistance D RDS(ON) 50m DFast Switching Characteristic ID -6A GSSSO-8SDescriptionDThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best c

 9.1. Size:99K  ape
ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdf pdf_icon

AP9567GH

AP9563GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26AG RoHS CompliantSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,r

Otros transistores... AP01N60J , AP9563GH , AP9563GJ , AP9971GP , AP9971GS , AP40T10GI , AP2764AI-A , AP20N15GI , STP65NF06 , AP9987GH , AP9987GJ , AP9987GJV , AP9997AGH , AP4407I , AP02N40H , AP04N70BI-H , AP2762IN-A .

History: IRFH7934PBF | FTK4703 | AP3407S

 

 
Back to Top

 


 
.