AP9567GH - описание и поиск аналогов

 

AP9567GH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9567GH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP9567GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9567GH даташит

 ..1. Size:237K  ape
ap9567gh.pdfpdf_icon

AP9567GH

AP9567GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID -22A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP9567 series are from Advanced Power innovated design and silicon D S process technology to achieve

 0.1. Size:101K  ape
ap9567gh-hf.pdfpdf_icon

AP9567GH

AP9567GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID -22A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G D The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial S TO-252(H) surface mount a

 7.1. Size:70K  ape
ap9567gm.pdfpdf_icon

AP9567GH

AP9567GM Pb Free Plating Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D Low On-resistance D RDS(ON) 50m D Fast Switching Characteristic ID -6A G S S SO-8 S Description D The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best c

 9.1. Size:99K  ape
ap9563gh-hf ap9563gj-hf.pdfpdf_icon

AP9567GH

AP9563GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 40m Fast Switching Characteristic ID -26A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, r

Другие MOSFET... AP01N60J , AP9563GH , AP9563GJ , AP9971GP , AP9971GS , AP40T10GI , AP2764AI-A , AP20N15GI , IRFZ46N , AP9987GH , AP9987GJ , AP9987GJV , AP9997AGH , AP4407I , AP02N40H , AP04N70BI-H , AP2762IN-A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.