AP4578GH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4578GH  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: TO252-4L

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AP4578GH datasheet

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AP4578GH

AP4578GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 72m Fast Switching Performance ID 9A S1 G1 RoHS Compliant & Halogen-Free S2 P-CH BVDSS -60V G2 RDS(ON) 125m TO-

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AP4578GH

AP4578GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 72m Fast Switching Performance ID 9A S1 G1 RoHS Compliant S2 P-CH BVDSS -60V G2 RDS(ON) 125m TO-252-4L Description ID -6A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de

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AP4578GH

AP4578GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60V D2 D2 D2 Lower Gate Charge D2 RDS(ON) 64m D1 D1 D1 D1 Fast Switching Performance ID 4.5A G2 G2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -60V S2 S2 G1 SO-8 S1 G1 RDS(ON) 125m SO-8 S1 Description ID -3A Advanced Power M

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AP4578GH

AP4578GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET N-CH BVDSS 60V Simple Drive Requirement D2 D2 RDS(ON) 64m Lower Gate Charge D1 D1 ID 4.5A Fast Switching Performance G2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -60V S2 G1 SO-8 S1 RDS(ON

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