AP9420GM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP9420GM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Encapsulados: SO8
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AP9420GM datasheet
ap9420gm.pdf
AP9420GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ultra_Low On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 3m D Fast Switching Characteristic ID 25A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP9420 series are fr
ap9420gm-hf.pdf
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ap9424gyt-hf.pdf
AP9424GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 6.5m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 18A G S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi
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History: AP2530GY | STF12PF06
🌐 : EN ES РУ
Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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