AP9467GM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP9467GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP9467GM

AP9467GM Datasheet (PDF)

..1. Size:167K ape
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AP9467GM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 11mD Fast Switching Characteristic ID 12AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP9467 series are from Ad

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AP9467GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristics ID 52AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9467 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest

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ap9467gh-hf ap9467gj-hf.pdf

AP9467GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Single Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristics ID 52AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDru

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