AP2C018LM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP2C018LM  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP2C018LM datasheet

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AP2C018LM

AP2C018LM Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 18m D1 Fast Switching Performance ID3 8.3A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 45m Description ID3 -5.5A AP2C018L series are from Advanced

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AP2C018LM

AP2C016LMT Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 D1 D2 D2 Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20V Good Thermal Performance RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID3 12A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V RDS(ON) 32m S1 G1 S2 G2 Description ID3 -8.8A AP2C016L series are from Advanced Po

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AP2C018LM

AP2C030LM Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 30m D1 Fast Switching Performance ID3 6.3A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 50m Description ID3 -5.2A AP2C030L series are from Advanced

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