AP2C018LM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP2C018LM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP2C018LM

AP2C018LM Datasheet (PDF)

..1. Size:142K ape
ap2c018lm.pdf

AP2C018LMHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 18mD1 Fast Switching Performance ID3 8.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VG1S1SO-8RDS(ON) 45mDescription ID3 -5.5AAP2C018L series are from Advanced

8.1. Size:131K ape
ap2c016lmt.pdf

AP2C016LMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20V Good Thermal Performance RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID3 12A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 32mS1 G1 S2 G2Description ID3 -8.8AAP2C016L series are from Advanced Po

9.1. Size:253K ape
ap2c030lm.pdf

AP2C030LMHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 30mD1 Fast Switching Performance ID3 6.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VG1S1SO-8RDS(ON) 50mDescription ID3 -5.2AAP2C030L series are from Advanced

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