AP2C030LM Todos los transistores

 

AP2C030LM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2C030LM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP2C030LM

 

AP2C030LM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  ape
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AP2C030LM

AP2C030LM Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 30m D1 Fast Switching Performance ID3 6.3A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 50m Description ID3 -5.2A AP2C030L series are from Advanced

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AP2C030LM

AP2C016LMT Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 D1 D2 D2 Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20V Good Thermal Performance RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID3 12A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V RDS(ON) 32m S1 G1 S2 G2 Description ID3 -8.8A AP2C016L series are from Advanced Po

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AP2C030LM

AP2C018LM Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive N-CH BVDSS 20V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 18m D1 Fast Switching Performance ID3 8.3A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 45m Description ID3 -5.5A AP2C018L series are from Advanced

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