AP4506GEM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4506GEM  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP4506GEM datasheet

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AP4506GEM

AP4506GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 N-CH BVDSS 30V Simple Drive Requirement D2 D1 RDS(ON) 30m Low On-resistance D1 ID 6.4A Fast Switching Performance G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 SO-8 S1 RDS(ON

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AP4506GEM

AP4506GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement D2 N-CH BVDSS 30V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 30m D1 Fast Switching Performance ID 6.4A G2 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V G1 SO-8 S1 RDS(ON) 40m Description ID -6A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the desi

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AP4506GEM

AP4506GEH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -8A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de

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AP4506GEM

AP4506GEH RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9A S1 G1 S2 P-CH BVDSS -30V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -8A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

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