AP4506GEM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4506GEM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4506GEM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4506GEM даташит

 ..1. Size:197K  ape
 ap4506gem.pdf pdf_icon

AP4506GEM

AP4506GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 N-CH BVDSS 30V Simple Drive Requirement D2 D1 RDS(ON) 30m Low On-resistance D1 ID 6.4A Fast Switching Performance G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 SO-8 S1 RDS(ON

 0.1. Size:117K  ape
 ap4506gem-hf.pdf pdf_icon

AP4506GEM

AP4506GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement D2 N-CH BVDSS 30V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 30m D1 Fast Switching Performance ID 6.4A G2 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V G1 SO-8 S1 RDS(ON) 40m Description ID -6A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the desi

 6.1. Size:116K  ape
 ap4506geh-hf.pdf pdf_icon

AP4506GEM

AP4506GEH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -30V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -8A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de

 6.2. Size:119K  ape
 ap4506geh.pdf pdf_icon

AP4506GEM

AP4506GEH RoHS-compliant Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 24m Fast Switching Performance ID 9A S1 G1 S2 P-CH BVDSS -30V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -8A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP3700M, AP38028EM, AP3A010AM, AP3B026M, AP3C010M, AP4224LGM, AP4232GM, AP4503AGEM, 75N75, AP4509GM, AP4511GM, AP4513GM, AP4525GEM, AP4532GM, AP4533GEM, AP4578GM, AP4963GEM