AP4509GM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4509GM  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP4509GM datasheet

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AP4509GM

AP4509GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 14m D1 D1 Fast Switching Performance ID 10A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 2

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AP4509GM

AP4509GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 14m D1 D1 Fast Switching Performance ID 10A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 20m Description ID -8.4A Advanced Power MOSFETs from APEC p

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AP4509GM

AP4509AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 10m D1 Fast Switching Performance ID 11.2A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 21m Description ID -8A Advanced Power MOSFETs from APEC pro

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AP4509GM

AP4509AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 10m Fast Switching Performance ID 14A S1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S2 RDS(ON) 23m G2 Description ID -9.5A TO-252-4L Advanced Power MOSFETs from AP

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