AP4509GM datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP4509GM 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP4509GM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP4509GM даташит
ap4509gm.pdf
AP4509GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 14m D1 D1 Fast Switching Performance ID 10A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 2
ap4509gm-hf.pdf
AP4509GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low On-resistance RDS(ON) 14m D1 D1 Fast Switching Performance ID 10A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 20m Description ID -8.4A Advanced Power MOSFETs from APEC p
ap4509agm-hf.pdf
AP4509AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 10m D1 Fast Switching Performance ID 11.2A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 21m Description ID -8A Advanced Power MOSFETs from APEC pro
ap4509agh-hf.pdf
AP4509AGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 10m Fast Switching Performance ID 14A S1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30V G1 S2 RDS(ON) 23m G2 Description ID -9.5A TO-252-4L Advanced Power MOSFETs from AP
Другие IGBT... AP38028EM, AP3A010AM, AP3B026M, AP3C010M, AP4224LGM, AP4232GM, AP4503AGEM, AP4506GEM, AO3400A, AP4511GM, AP4513GM, AP4525GEM, AP4532GM, AP4533GEM, AP4578GM, AP4963GEM, AP5322GM
History: AP4606B | AP02N90J
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437




