IRFF120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFF120
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO39
Búsqueda de reemplazo de IRFF120 MOSFET
IRFF120 Datasheet (PDF)
2n6788 irff120.pdf
PD - 90426CIRFF120REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6788HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6788THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/555100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF120 100V 0.30 6.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processin
irff130.pdf
PD - 90430CIRFF130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6796HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6796THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/557100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF130 100V 0.18 8.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processin
2n6782 irff110.pdf
PD - 90423CIRFF110REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6782HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6782THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/556100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF110 100V .60 3.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing
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Liste
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