IRFF120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFF120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 70(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO39

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFF120

IRFF120 Datasheet (PDF)

..1. Size:131K international rectifier
2n6788 irff120.pdf

PD - 90426CIRFF120REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6788HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6788THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/555100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF120 100V 0.30 6.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processin

9.1. Size:131K international rectifier
irff130.pdf

PD - 90430CIRFF130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6796HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6796THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/557100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF130 100V 0.18 8.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processin

9.2. Size:131K international rectifier
2n6782 irff110.pdf

PD - 90423CIRFF110REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6782HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6782THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/556100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF110 100V .60 3.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing

9.3. Size:99K international rectifier
irff1xx irff2xx irff3xx irff4xx 2n678x 2n679x 2n680x.pdf

9.4. Size:224K inchange semiconductor
irff130.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFF130FEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.18(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A

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Liste

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