AP4963GEM Todos los transistores

 

AP4963GEM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4963GEM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP4963GEM Datasheet (PDF)

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AP4963GEM

AP4963GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2 Lower Gate Charge D1 RDS(ON) 36mD1 Fast Switching Performance ID -6AG2 RoHS Compliant & Halogen-FreeS2G1SO-8S1DescriptionAP4963 series are from Advanced Power innovated design D1 D2and silicon proce

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AP4963GEM

AP4963GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD2D2 Lower Gate Charge D1 RDS(ON) 36mD1 Fast Switching Performance ID -6AG2 RoHS Compliant & Halogen-FreeS2G1SO-8S1DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG1 G2designer with the b

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AP4963GEM

AP4961GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Lower On-resistance BVDSS -20VD2D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 28mD1 Dual P MOSFET Package ID -7AG2S2G1SO-8S1DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best combination of fast switching,ruggedize

Otros transistores... AP4506GEM , AP4509GM , AP4511GM , AP4513GM , AP4525GEM , AP4532GM , AP4533GEM , AP4578GM , P0903BDG , AP5322GM , AP6A100M , AP6C036M , AP6C072M , AP8N010LM , AP9926GM , AP9936GM , AP9938GEM .

History: FW216A | IAUC120N04S6L008 | AOTL66914 | FTP02N65

 

 
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