AP5322GM Todos los transistores

 

AP5322GM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP5322GM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP5322GM datasheet

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AP5322GM

AP5322GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 100V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 250m D1 Fast Switching Characteristic ID 1.9A G2 S2 Halogen Free & RoHS Compliant G1 SO-8 S1 Description D2 D1 AP5322 series are from Advanced Power innovated design and silico

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AP5322GM

AP5322GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 100V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 250m D1 Fast Switching Characteristic ID 1.9A G2 S2 Halogen Free & RoHS Compliant G1 SO-8 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the be

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AP5322GM

AP5321GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 150m Fast Switching Characteristic ID 2.5A Halogen Free & RoHS Compliant Product D2 D2 D1 Description D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G2 S2 designer with the best combination

Otros transistores... AP4509GM , AP4511GM , AP4513GM , AP4525GEM , AP4532GM , AP4533GEM , AP4578GM , AP4963GEM , IRLB3034 , AP6A100M , AP6C036M , AP6C072M , AP8N010LM , AP9926GM , AP9936GM , AP9938GEM , AP9960GM .

History: AP6900GH-HF | AP9970GK | AP6985GN2-HF | CJK3400AH

 

 

 

 

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