AP6C072M Todos los transistores

 

AP6C072M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6C072M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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AP6C072M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  ape
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AP6C072M

AP6C072MHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 36mD1 Fast Switching Performance ID 5.4AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -60VG1S1SO-8RDS(ON) 72mDescription ID -3.9AAP6C072 series are from Advanced Power

 9.1. Size:138K  ape
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AP6C072M

AP6C036HHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 36m Fast Switching Performance ID3 12AS1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -60VG1S2RDS(ON) 75mG2Description ID3 -12ATO-252-4LAdvanced Power MOSFETs from APEC

 9.2. Size:254K  ape
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AP6C072M

AP6C036MHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60VD2D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 36mD1 Fast Switching Performance ID3 6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -60VG1S1SO-8RDS(ON) 72mDescription ID3 -4.2AAP6C036 series are from Advanced Power

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History: CJQ9435 | FC6B22220L

 

 
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