AP6C072M Todos los transistores

 

AP6C072M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP6C072M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP6C072M datasheet

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AP6C072M

AP6C072M Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 36m D1 Fast Switching Performance ID 5.4A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -60V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 72m Description ID -3.9A AP6C072 series are from Advanced Power

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AP6C072M

AP6C036H Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 36m Fast Switching Performance ID3 12A S1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -60V G1 S2 RDS(ON) 75m G2 Description ID3 -12A TO-252-4L Advanced Power MOSFETs from APEC

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AP6C072M

AP6C036M Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 36m D1 Fast Switching Performance ID3 6A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -60V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 72m Description ID3 -4.2A AP6C036 series are from Advanced Power

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History: STF12N120K5 | FDBL9406F085 | CJE3134K

 

 

 

 

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