IRFF130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFF130
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 28.5(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 75(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO39
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFF130
IRFF130 Datasheet (PDF)
irff130.pdf
PD - 90430CIRFF130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6796HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6796THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/557100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF130 100V 0.18 8.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processin
irff130.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFF130FEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.18(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A
2n6788 irff120.pdf
PD - 90426CIRFF120REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6788HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6788THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/555100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF120 100V 0.30 6.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processin
2n6782 irff110.pdf
PD - 90423CIRFF110REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6782HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6782THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/556100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF110 100V .60 3.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing
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Liste
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