IRFF130. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFF130
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 75 max ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO39
Аналог (замена) для IRFF130
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFF130 даташит
irff130.pdf
PD - 90430C IRFF130 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6796 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6796 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/557 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF130 100V 0.18 8.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processin
irff130.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFF130 FEATURES Drain Current I = 8A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.18 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. A
2n6788 irff120.pdf
PD - 90426C IRFF120 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6788 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6788 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/555 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF120 100V 0.30 6.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processin
2n6782 irff110.pdf
PD - 90423C IRFF110 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6782 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6782 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/556 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF110 100V .60 3.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing
Другие MOSFET... IRFE9120 , IRFE9130 , IRFE9210 , IRFE9220 , IRFE9230 , IRFF024 , IRFF110 , IRFF120 , AON7408 , IRFF210 , IRFF220 , IRFF230 , IRFF310 , IRFF320 , IRFF330 , IRFF420 , IRFF430 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180




