AP9938GEM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9938GEM  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SO8

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AP9938GEM datasheet

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AP9938GEM

AP9938GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 20V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 18m D1 Fast Switching Performance ID 8.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP9938 series a

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AP9938GEM

AP9938GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 20V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 18m D1 Fast Switching Performance ID 8.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP9938 series are from Advanced Power innovated design and D1 D2 silicon pr

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AP9938GEM

AP9938GEY-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20V D1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 16m G2 Surface Mount Package ID 7.5A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing G1 G2 techniques to achiev

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AP9938GEM

AP9938GEO-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET G2 S2 Low on-resistance S2 BVDSS 20V D2 Capable of 1.8V Gate Drive G1 RDS(ON) 18m S1 S1 TSSOP-8 D1 Optimal DC/DC Battery Application ID3 6A Halogen Free & RoHS Compliant Product Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer

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