IRFF210 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFF210 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFF210

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO39

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IRFF210 datasheet

..1. Size:130K international rectifier
2n6784 irff210.pdf pdf_icon

PD - 90424C IRFF210 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6784 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6784 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/556 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF210 200V 1.5 2.25A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processin

8.1. Size:865K njs
irff212 irff213.pdf pdf_icon

9.1. Size:133K international rectifier
2n6790 irff220.pdf pdf_icon

PD - 90427C IRFF220 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6790 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6790 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/555 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF220 200V 0.80 3.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processin

9.2. Size:131K international rectifier
2n6798 irff230.pdf pdf_icon

PD -90431C IRFF230 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6798 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6798 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/557 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF230 200V 0.40 5.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing

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