AP60PN72REN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP60PN72REN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.053 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 72 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP60PN72REN

AP60PN72REN Datasheet (PDF)

..1. Size:143K ape
ap60pn72ren.pdf

AP60PN72RENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 600VD Small Package Outline RDS(ON) 72 ESD Diode Protected ID 53mAS RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSOT-23 GDescriptionDAP60PN72 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to ac

5.1. Size:144K ape
ap60pn72rlen.pdf

AP60PN72RLENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 600VD Small Package Outline RDS(ON) 72 ESD Diode Protected ID 53mAS RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSOT-23 GDescriptionDAP60PN72 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to a

9.1. Size:1072K 1
ap60p20q.pdf

AP60P20Q P-Channel Enhancement Mosfet Feature -20V,-60A R

9.2. Size:623K ncepower
nceap60p90ak.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: