Справочник MOSFET. AP60PN72REN

 

AP60PN72REN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP60PN72REN
   Маркировка: A11SS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.053 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 72 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для AP60PN72REN

 

 

AP60PN72REN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  ape
 ap60pn72ren.pdf

AP60PN72REN AP60PN72REN

AP60PN72RENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 600VD Small Package Outline RDS(ON) 72 ESD Diode Protected ID 53mAS RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSOT-23 GDescriptionDAP60PN72 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to ac

 5.1. Size:144K  ape
 ap60pn72rlen.pdf

AP60PN72REN AP60PN72REN

AP60PN72RLENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 600VD Small Package Outline RDS(ON) 72 ESD Diode Protected ID 53mAS RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSOT-23 GDescriptionDAP60PN72 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to a

 9.1. Size:1072K  1
 ap60p20q.pdf

AP60PN72REN AP60PN72REN

AP60P20Q P-Channel Enhancement Mosfet Feature -20V,-60A R

 9.2. Size:623K  ncepower
 nceap60p90ak.pdf

AP60PN72REN AP60PN72REN

NCEAP60P90AKhttp://www.ncepower.comNCE Automotive P-Channel Super Trench Power MOSFETGeneral FeaturesDescription V =-60V,I =-90ADS DThe NCEAP60P90AK uses Super Trench technology that isR =7.6m (typical) @ V =-10VDS(ON) GSuniquely optimized to provide the most efficient high frequencyR =9.2m (typical) @ V =-4.5VDS(ON) GSswitching performance. Both conduction and

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top