AP2N7002KU Todos los transistores

 

AP2N7002KU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP2N7002KU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP2N7002KU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  ape
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AP2N7002KU

AP2N7002KUHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 270mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-323GDDescriptionAP2N7002 series are from Advanced Power innovated designGand silicon process technology to achieve th

 5.1. Size:58K  ape
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AP2N7002KU

AP2N7002K-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID 450mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resist

 6.1. Size:1560K  allpower
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AP2N7002KU

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History: IXFN102N30P | MTN50N06E3 | IPI051N15N5 | AP3N7R2MT | SM3116NAF | CPC3730 | SSFT4004

 

 
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