IRFF9024 Todos los transistores

 

IRFF9024 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFF9024
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO39
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFF9024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  international rectifier
 irff9024.pdf pdf_icon

IRFF9024

PD -90413REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-205AF) IRFF902460V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9024 -60V 0.28 -6.4AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design

 9.1. Size:132K  international rectifier
 irff9110.pdf pdf_icon

IRFF9024

PD - 90388REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-205AF) IRFF9110100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9110 -100V 1.2 -2.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desi

 9.2. Size:130K  international rectifier
 irff9210.pdf pdf_icon

IRFF9024

PD - 90382REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-205AF) IRFF9210200V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF9210 -200V 3.0 -1.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desig

 9.3. Size:133K  international rectifier
 2n6849 irff9130.pdf pdf_icon

IRFF9024

PD - 90550DIRFF9130 JANTX2N6849REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6849HEXFETTRANSISTORS JANS2N6849THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/564100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9130 -100V 0.30 -6.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry an

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History: BRCS060N04SZC

 

 
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