IRFF9024. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFF9024
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 100 max ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO39
Аналог (замена) для IRFF9024
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFF9024 даташит
irff9024.pdf
PD -90413 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) IRFF9024 60V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9024 -60V 0.28 -6.4A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design
irff9110.pdf
PD - 90388 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) IRFF9110 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9110 -100V 1.2 -2.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desi
irff9210.pdf
PD - 90382 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) IRFF9210 200V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9210 -200V 3.0 -1.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desig
2n6849 irff9130.pdf
PD - 90550D IRFF9130 JANTX2N6849 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6849 HEXFET TRANSISTORS JANS2N6849 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/564 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9130 -100V 0.30 -6.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry an
Другие IGBT... IRFF210, IRFF220, IRFF230, IRFF310, IRFF320, IRFF330, IRFF420, IRFF430, IRFP260, IRFF9110, IRFF9120, IRFF9130, IRFF9210, IRFF9220, IRFF9230, IRFI1010N, IRFI1310N
History: IPP60R600CP | TSM2301A | STP7401
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123










