AP9938AGEY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP9938AGEY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Encapsulados: 2928-8
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AP9938AGEY datasheet
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ap9938agey-hf.pdf
AP9938AGEY-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D1/D2 Low On-resistance RDS(ON) 16m G2 Surface Mount Package ID 7.5A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing G1 G2 techniques to achieve
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AP9938GEY-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20V D1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 16m G2 Surface Mount Package ID 7.5A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing G1 G2 techniques to achiev
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History: AP15TP1R0M | AP0904GH | AP13P15GS | STF13NM60ND | AP9962AGM
History: AP15TP1R0M | AP0904GH | AP13P15GS | STF13NM60ND | AP9962AGM
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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