AP9938AGEY. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP9938AGEY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: 2928-8
Аналог (замена) для AP9938AGEY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9938AGEY даташит
ap9938agey.pdf
AP9938AGEY-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D1/D2 Low On-resistance RDS(ON) 16m G2 Surface Mount Package ID 7.5A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 2928-8 Description D1 D2 AP9938A series are from Advanced Power innovated design G1 G2 and silicon proce
ap9938agey-hf.pdf
AP9938AGEY-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D1/D2 Low On-resistance RDS(ON) 16m G2 Surface Mount Package ID 7.5A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing G1 G2 techniques to achieve
ap9938gem-hf.pdf
AP9938GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 20V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 18m D1 Fast Switching Performance ID 8.5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP9938 series are from Advanced Power innovated design and D1 D2 silicon pr
ap9938gey.pdf
AP9938GEY-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20V D1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 16m G2 Surface Mount Package ID 7.5A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 2928-8 Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing G1 G2 techniques to achiev
Другие MOSFET... AP9992GR , AP9990GMT-L , AP9990GMT , AP9979GH , AP9950AGP , AP9950AGH , AP9938GEY , AP9938GEO , AON7403 , AP9926GEO , AP9923GEO , AP9922GEO , AP97T07AGP , AP95T10AGP , AP95T07BGP , AP9579GJ , AP9467GH .
History: AP9563GH
History: AP9563GH
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor









