Справочник MOSFET. AP9938AGEY

 

AP9938AGEY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9938AGEY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: 2928-8
 

 Аналог (замена) для AP9938AGEY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9938AGEY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  ape
ap9938agey.pdfpdf_icon

AP9938AGEY

AP9938AGEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD1/D2 Low On-resistance RDS(ON) 16mG2 Surface Mount Package ID 7.5AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1S12928-8DescriptionD1 D2AP9938A series are from Advanced Power innovated designG1 G2and silicon proce

 0.1. Size:98K  ape
ap9938agey-hf.pdfpdf_icon

AP9938AGEY

AP9938AGEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD1/D2 Low On-resistance RDS(ON) 16mG2 Surface Mount Package ID 7.5AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingG1 G2techniques to achieve

 8.1. Size:73K  ape
ap9938gem-hf.pdfpdf_icon

AP9938AGEY

AP9938GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 20VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 18mD1 Fast Switching Performance ID 8.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAP9938 series are from Advanced Power innovated design andD1 D2silicon pr

 8.2. Size:177K  ape
ap9938gey.pdfpdf_icon

AP9938AGEY

AP9938GEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20VD1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 16mG2 Surface Mount Package ID 7.5AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingG1 G2techniques to achiev

Другие MOSFET... AP9992GR , AP9990GMT-L , AP9990GMT , AP9979GH , AP9950AGP , AP9950AGH , AP9938GEY , AP9938GEO , EMB04N03H , AP9926GEO , AP9923GEO , AP9922GEO , AP97T07AGP , AP95T10AGP , AP95T07BGP , AP9579GJ , AP9467GH .

History: 2SK2833-R | 12P10L-TN3-R | BLP02N08-P | 2SK3431-S | AP90T03GJ | 2SK3322 | ZXMN6A25G

 

 
Back to Top

 


 
.