AP9938AGEY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP9938AGEY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: 2928-8
Аналог (замена) для AP9938AGEY
AP9938AGEY Datasheet (PDF)
ap9938agey.pdf

AP9938AGEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD1/D2 Low On-resistance RDS(ON) 16mG2 Surface Mount Package ID 7.5AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1S12928-8DescriptionD1 D2AP9938A series are from Advanced Power innovated designG1 G2and silicon proce
ap9938agey-hf.pdf

AP9938AGEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD1/D2 Low On-resistance RDS(ON) 16mG2 Surface Mount Package ID 7.5AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingG1 G2techniques to achieve
ap9938gem-hf.pdf

AP9938GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 20VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 18mD1 Fast Switching Performance ID 8.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAP9938 series are from Advanced Power innovated design andD1 D2silicon pr
ap9938gey.pdf

AP9938GEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 20VD1/D2 Lower on-resistance RDS(ON) 16mG2 Surface Mount Package ID 7.5AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1S12928-8DescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingG1 G2techniques to achiev
Другие MOSFET... AP9992GR , AP9990GMT-L , AP9990GMT , AP9979GH , AP9950AGP , AP9950AGH , AP9938GEY , AP9938GEO , EMB04N03H , AP9926GEO , AP9923GEO , AP9922GEO , AP97T07AGP , AP95T10AGP , AP95T07BGP , AP9579GJ , AP9467GH .
History: HAT2172N | VBZE04N03 | NVMFD5C462N | STW34N65M5 | SPD04P10PG | 7N65L-T2Q-T | BSP613P
History: HAT2172N | VBZE04N03 | NVMFD5C462N | STW34N65M5 | SPD04P10PG | 7N65L-T2Q-T | BSP613P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor