AP9923GEO Todos los transistores

 

AP9923GEO MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9923GEO
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 635 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP9923GEO Datasheet (PDF)

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AP9923GEO

AP9923GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Low On-Resistance BVDSS -12VS2S2D2 Small & Thin Package RDS(ON) 25mG1 Capable of 1.8V Gate Drive ID -7AS1S1TSSOP-8D1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best c

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AP9923GEO

AP9923GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Low On-Resistance BVDSS -12VS2S2D2 Small & Thin Package RDS(ON) 25mG1 Capable of 1.8V Gate Drive ID -7AS1S1TSSOP-8D1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best c

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AP9926GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30mD1 Surface Mount Package ID 6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionD2D1AP9926 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process te

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AP9923GEO

AP9928GEOPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2Low on-resistance BVDSS 20V S2S2D2Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 23m G1S1Optimal DC/DC battery application S1 ID 5A TSSOP-8D1DescriptionD1 D2The Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG1 G

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History: IRLZ34L | SSF11NS70UF | AP03N40AH-HF | SI4368DY | GSM9434WS | GSM2379 | SWK15N04V

 

 
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