Справочник MOSFET. AP9923GEO

 

AP9923GEO Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9923GEO
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для AP9923GEO

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9923GEO Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  ape
ap9923geo.pdfpdf_icon

AP9923GEO

AP9923GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Low On-Resistance BVDSS -12VS2S2D2 Small & Thin Package RDS(ON) 25mG1 Capable of 1.8V Gate Drive ID -7AS1S1TSSOP-8D1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best c

 0.1. Size:96K  ape
ap9923geo-hf.pdfpdf_icon

AP9923GEO

AP9923GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Low On-Resistance BVDSS -12VS2S2D2 Small & Thin Package RDS(ON) 25mG1 Capable of 1.8V Gate Drive ID -7AS1S1TSSOP-8D1 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1 D2DescriptionG1 G2Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best c

 9.1. Size:60K  ape
ap9926gm-hf.pdfpdf_icon

AP9923GEO

AP9926GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30mD1 Surface Mount Package ID 6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionD2D1AP9926 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process te

 9.2. Size:71K  ape
ap9928geo.pdfpdf_icon

AP9923GEO

AP9928GEOPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2Low on-resistance BVDSS 20V S2S2D2Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 23m G1S1Optimal DC/DC battery application S1 ID 5A TSSOP-8D1DescriptionD1 D2The Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG1 G

Другие MOSFET... AP9990GMT , AP9979GH , AP9950AGP , AP9950AGH , AP9938GEY , AP9938GEO , AP9938AGEY , AP9926GEO , 2SK3918 , AP9922GEO , AP97T07AGP , AP95T10AGP , AP95T07BGP , AP9579GJ , AP9467GH , AP9467AGH , AP9410GH .

History: MDV1527URH | BLP02N06-Q | 2SK3274L | 2SK2727 | BLS6G2731-6G | SIHFP048R | INK0003AM1

 

 
Back to Top

 


 
.