IRFF9210 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFF9210  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO39

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IRFF9210 datasheet

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IRFF9210

PD - 90382 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) IRFF9210 200V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9210 -200V 3.0 -1.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art desig

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IRFF9210

PD - 90551D IRFF9230 JANTX2N6851 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6851 HEXFET TRANSISTORS JANS2N6851 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/564 200V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9230 -200V 0.80 -4.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry

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 2n6847 irff9220.pdf pdf_icon

IRFF9210

PD - 90553C IRFF9220 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6847 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6847 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/563 200V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9220 -200V 1.5 -2.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces

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