IRFF9210 Todos los transistores

 

IRFF9210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFF9210
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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IRFF9210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  international rectifier
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IRFF9210

PD - 90382REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-205AF) IRFF9210200V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF9210 -200V 3.0 -1.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desig

 8.1. Size:131K  international rectifier
 2n6851 irff9230.pdf pdf_icon

IRFF9210

PD - 90551DIRFF9230 JANTX2N6851REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6851HEXFETTRANSISTORS JANS2N6851THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/564200V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9230 -200V 0.80 -4.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry

 8.2. Size:130K  international rectifier
 2n6847 irff9220.pdf pdf_icon

IRFF9210

PD - 90553CIRFF9220REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6847HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6847THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/563200V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF9220 -200V 1.5 -2.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

 8.3. Size:109K  njs
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