AP76T03AGMT Todos los transistores

 

AP76T03AGMT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP76T03AGMT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm

Encapsulados: PMPAK5X6

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AP76T03AGMT datasheet

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AP76T03AGMT

AP76T03AGMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 7.2m Low On-resistance ID 55A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP76T03A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to ach

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AP76T03AGMT

AP76T03AGMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 7.2m Low On-resistance ID 55A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP76T03A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to ach

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History: MTC3588BDFA6 | SE60300G

 

 

 

 

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