IRFF9230 Todos los transistores

 

IRFF9230 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFF9230
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34.8(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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IRFF9230 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  international rectifier
 2n6851 irff9230.pdf pdf_icon

IRFF9230

PD - 90551DIRFF9230 JANTX2N6851REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6851HEXFETTRANSISTORS JANS2N6851THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/564200V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9230 -200V 0.80 -4.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry

 ..2. Size:109K  njs
 irff9230 irff9231 irff9232 irff9233.pdf pdf_icon

IRFF9230

 8.1. Size:130K  international rectifier
 irff9210.pdf pdf_icon

IRFF9230

PD - 90382REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-205AF) IRFF9210200V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF9210 -200V 3.0 -1.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desig

 8.2. Size:130K  international rectifier
 2n6847 irff9220.pdf pdf_icon

IRFF9230

PD - 90553CIRFF9220REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6847HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6847THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/563200V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF9220 -200V 1.5 -2.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

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