AP6N8R2ALH Todos los transistores

 

AP6N8R2ALH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6N8R2ALH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1070 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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AP6N8R2ALH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  ape
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AP6N8R2ALH

AP6N8R2ALHHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2m Fast Switching Characteristic ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP6N8R2AL series are from Advanced Power innovated designDSTO-252(H)and silicon process technology t

 7.1. Size:163K  ape
 ap6n8r2lmt.pdf pdf_icon

AP6N8R2ALH

AP6N8R2LMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 60VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 8.2m Ultra Low On-resistance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP6N8R2L series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

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History: CS6N65P | PMZ390UN | IRF6655 | FDPF5N60NZ | RJK6054DPP-M0 | CEM3128 | CS6N70CF

 

 
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