AP6N8R2ALH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP6N8R2ALH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1070 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
Encapsulados: TO252
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AP6N8R2ALH datasheet
ap6n8r2alh.pdf
AP6N8R2ALH Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2m Fast Switching Characteristic ID 60A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP6N8R2AL series are from Advanced Power innovated design D S TO-252(H) and silicon process technology t
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AP6N8R2LMT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 60V D SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 8.2m Ultra Low On-resistance ID 60A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP6N8R2L series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve
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History: AOI409
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