AP6N8R2ALH - аналоги и даташиты транзистора

 

AP6N8R2ALH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP6N8R2ALH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1070 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP6N8R2ALH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N8R2ALH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  ape
 ap6n8r2alh.pdf pdf_icon

AP6N8R2ALH

AP6N8R2ALHHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2m Fast Switching Characteristic ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP6N8R2AL series are from Advanced Power innovated designDSTO-252(H)and silicon process technology t

 7.1. Size:163K  ape
 ap6n8r2lmt.pdf pdf_icon

AP6N8R2ALH

AP6N8R2LMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 60VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 8.2m Ultra Low On-resistance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP6N8R2L series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

Другие MOSFET... AP6P064J , AP6P064I , AP6P064H , AP6P025S , AP6P025P , AP6P025I , AP6P025H , AP6N8R2LMT , 7N60 , AP6N6R5P , AP6N6R5LMT-L , AP6N6R5LMT , AP6N6R5I , AP6N6R5H , AP6N4R2P , AP6N4R0I , AP6N3R8H .

History: IPA80R900P7 | NCEP080N10 | SQM120N06-04L | SI7810DN | IRFP433

 

 
Back to Top

 


 
.