AP6N8R2ALH - описание и поиск аналогов

 

AP6N8R2ALH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6N8R2ALH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1070 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP6N8R2ALH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N8R2ALH даташит

 ..1. Size:204K  ape
 ap6n8r2alh.pdf pdf_icon

AP6N8R2ALH

AP6N8R2ALH Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 8.2m Fast Switching Characteristic ID 60A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP6N8R2AL series are from Advanced Power innovated design D S TO-252(H) and silicon process technology t

 7.1. Size:163K  ape
 ap6n8r2lmt.pdf pdf_icon

AP6N8R2ALH

AP6N8R2LMT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 60V D SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 8.2m Ultra Low On-resistance ID 60A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP6N8R2L series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

Другие MOSFET... AP6P064J , AP6P064I , AP6P064H , AP6P025S , AP6P025P , AP6P025I , AP6P025H , AP6N8R2LMT , AO3407 , AP6N6R5P , AP6N6R5LMT-L , AP6N6R5LMT , AP6N6R5I , AP6N6R5H , AP6N4R2P , AP6N4R0I , AP6N3R8H .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.