AP6N4R0I Todos los transistores

 

AP6N4R0I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6N4R0I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00399 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de AP6N4R0I MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP6N4R0I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  ape
 ap6n4r0i.pdf pdf_icon

AP6N4R0I

AP6N4R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.99m Lower On-resistance ID4 70AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N4R0 seriesare fromAdvanced Power innovated designan

 8.1. Size:207K  ape
 ap6n4r2p.pdf pdf_icon

AP6N4R0I

AP6N4R2PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.2m Fast Switching Characteristic ID 115AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N4R2 seriesare fromAdvanced Power innovated d

Otros transistores... AP6N8R2LMT , AP6N8R2ALH , AP6N6R5P , AP6N6R5LMT-L , AP6N6R5LMT , AP6N6R5I , AP6N6R5H , AP6N4R2P , IRF830 , AP6N3R8H , AP6N3R7MT-L , AP6N3R7MT , AP6N3R5S , AP6N3R5P , AP6N3R5LIN , AP6N3R5LI , AP6N3R5I .

 

 
Back to Top

 


 
.