AP6N2R0I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP6N2R0I
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de AP6N2R0I MOSFET
AP6N2R0I Datasheet (PDF)
ap6n2r0i.pdf

AP6N2R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.1m Fast Switching Characteristic ID 110AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N2R0 seriesare fromAdvanced Power innovated d
ap6n2r0cdt.pdf

AP6N2R0CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 2m Ultra Low On-resistance ID4 205AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP6N2R0C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achiev
ap6n2r0p.pdf

AP6N2R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2m Fast Switching Characteristic ID3 255AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N2R0 seriesare fromAdvanced Power innovated de
ap6n2k0en.pdf

AP6N2K0ENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID3 450mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP6N2K0E series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve th
Otros transistores... AP6N3R5LI , AP6N3R5I , AP6N3R4CMT-L , AP6N3R4CMT , AP6N3R2P , AP6N3R1LH , AP6N3R0LMT , AP6N2R0P , EMB04N03H , AP6N2R0CDT , AP6N1R7CDT , AP6N100JV , AP6N100J , AP6N100H , AP6N023H , AP6C036H , AP6982GN2 .
History: FDD6N50TF | 2SJ125



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor