AP6N2R0I. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP6N2R0I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.6 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6150 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для AP6N2R0I
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP6N2R0I даташит
ap6n2r0i.pdf
AP6N2R0I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.1m Fast Switching Characteristic ID 110A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series arefrom Advanced Power innovated design AP6N2R0 seriesare fromAdvanced Power innovated d
ap6n2r0cdt.pdf
AP6N2R0CDT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 2m Ultra Low On-resistance ID4 205A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description PDFN 5x6 D D D D AP6N2R0C series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achiev
ap6n2r0p.pdf
AP6N2R0P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2m Fast Switching Characteristic ID3 255A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series arefrom Advanced Power innovated design AP6N2R0 seriesare fromAdvanced Power innovated de
ap6n2k0en.pdf
AP6N2K0EN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID3 450mA S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP6N2K0E series are from Advanced Power innovated design and silicon G process technology to achieve th
Другие MOSFET... AP6N3R5LI , AP6N3R5I , AP6N3R4CMT-L , AP6N3R4CMT , AP6N3R2P , AP6N3R1LH , AP6N3R0LMT , AP6N2R0P , AON7403 , AP6N2R0CDT , AP6N1R7CDT , AP6N100JV , AP6N100J , AP6N100H , AP6N023H , AP6C036H , AP6982GN2 .
History: SSF70R450S2 | UPA2211T1M | PT542BA | SUM90N08-6M2P | PZD502CYB | AOK18N65
History: SSF70R450S2 | UPA2211T1M | PT542BA | SUM90N08-6M2P | PZD502CYB | AOK18N65
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor




