AP6N2R0I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP6N2R0I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: TO220F
AP6N2R0I Datasheet (PDF)
ap6n2r0i.pdf
AP6N2R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.1m Fast Switching Characteristic ID 110AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N2R0 seriesare fromAdvanced Power innovated d
ap6n2r0cdt.pdf
AP6N2R0CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 2m Ultra Low On-resistance ID4 205AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP6N2R0C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achiev
ap6n2r0p.pdf
AP6N2R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2m Fast Switching Characteristic ID3 255AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N2R0 seriesare fromAdvanced Power innovated de
ap6n2k0en.pdf
AP6N2K0ENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID3 450mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP6N2K0E series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve th
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918