AP6N1R7CDT Todos los transistores

 

AP6N1R7CDT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6N1R7CDT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de AP6N1R7CDT MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP6N1R7CDT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  ape
 ap6n1r7cdt.pdf pdf_icon

AP6N1R7CDT

AP6N1R7CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 1.7m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP6N1R7C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the l

 9.1. Size:205K  ape
 ap6n100h.pdf pdf_icon

AP6N1R7CDT

AP6N100HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Characteristic ID 7.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP6N100 series are from Advanced Power innovated design andDSTO-252(H)silicon process technology to a

 9.2. Size:177K  ape
 ap6n100jv.pdf pdf_icon

AP6N1R7CDT

AP6N100JVHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Characteristic ID 7.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP6N100 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p

Otros transistores... AP6N3R4CMT-L , AP6N3R4CMT , AP6N3R2P , AP6N3R1LH , AP6N3R0LMT , AP6N2R0P , AP6N2R0I , AP6N2R0CDT , 2SK3918 , AP6N100JV , AP6N100J , AP6N100H , AP6N023H , AP6C036H , AP6982GN2 , AP6980GN2 , AP6942GMT .

History: NCEP048N85 | SSM09N70GP-A | NCEP090N20D | PKCE9BB | RU20T7G | IRFP460NPBF

 

 
Back to Top

 


 
.