AP6N100JV Todos los transistores

 

AP6N100JV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP6N100JV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251VS
 

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AP6N100JV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  ape
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AP6N100JV

AP6N100JVHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Characteristic ID 7.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP6N100 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p

 7.1. Size:205K  ape
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AP6N100JV

AP6N100HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Characteristic ID 7.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP6N100 series are from Advanced Power innovated design andDSTO-252(H)silicon process technology to a

 9.1. Size:137K  ape
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AP6N100JV

AP6N1R7CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 1.7m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP6N1R7C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the l

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History: NCE60NF160T

 

 
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