AP6C036H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP6C036H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Encapsulados: TO252-4L
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AP6C036H datasheet
ap6c036h.pdf
AP6C036H Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 36m Fast Switching Performance ID3 12A S1 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -60V G1 S2 RDS(ON) 75m G2 Description ID3 -12A TO-252-4L Advanced Power MOSFETs from APEC
ap6c036m.pdf
AP6C036M Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 36m D1 Fast Switching Performance ID3 6A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -60V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 72m Description ID3 -4.2A AP6C036 series are from Advanced Power
ap6c072m.pdf
AP6C072M Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 60V D2 D2 Low Gate Charge D1 RDS(ON) 36m D1 Fast Switching Performance ID 5.4A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -60V G1 S1 SO-8 RDS(ON) 72m Description ID -3.9A AP6C072 series are from Advanced Power
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