AP6982GN2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP6982GN2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP6982GN2

AP6982GN2 Datasheet (PDF)

..1. Size:647K ape
ap6982gn2.pdf

AP6982GN2-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive D BVDSS 20V Small Size & Lower Profile RDS(ON) 12.5m Halogen Free & RoHS Compliant Product ID 11AGSTop viewDD D SDescriptionDSAP6982 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

0.1. Size:96K ape
ap6982gn2-hf.pdf

7.1. Size:85K ape
ap6982gm-hf.pdf

AP6982GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance CH-1 BVDSS 30VD2D2 Fast Switching Characteristic RDS(ON) 18mD1D1 Surface Mount Package ID 8.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VG1S1SO-8RDS(ON) 26mDescription ID 7.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC pr

7.2. Size:99K ape
ap6982gm.pdf

AP6982GMPb Free Plating ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance CH-1 BVDSS 30VD2D2D2D2 Fast Switching Characteristic RDS(ON) 18mD1D1D1D1 Surface Mount Package ID 8.5AG2G2CH-2 BVDSS 30VS2S2G1SO-8G1S1RDS(ON) 26mSO-8 S1Descript

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Liste

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