Справочник MOSFET. AP6982GN2

 

AP6982GN2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6982GN2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
 

 Аналог (замена) для AP6982GN2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6982GN2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:647K  ape
 ap6982gn2.pdf pdf_icon

AP6982GN2

AP6982GN2-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive D BVDSS 20V Small Size & Lower Profile RDS(ON) 12.5m Halogen Free & RoHS Compliant Product ID 11AGSTop viewDD D SDescriptionDSAP6982 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 0.1. Size:96K  ape
 ap6982gn2-hf.pdf pdf_icon

AP6982GN2

AP6982GN2-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive D BVDSS 20V Small Size & Lower Profile RDS(ON) 12.5m Halogen Free & RoHS Compliant Product ID 11AGSTop viewDD D SDescriptionDSAP6982 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 7.1. Size:85K  ape
 ap6982gm-hf.pdf pdf_icon

AP6982GN2

AP6982GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance CH-1 BVDSS 30VD2D2 Fast Switching Characteristic RDS(ON) 18mD1D1 Surface Mount Package ID 8.5AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VG1S1SO-8RDS(ON) 26mDescription ID 7.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC pr

 7.2. Size:99K  ape
 ap6982gm.pdf pdf_icon

AP6982GN2

AP6982GMPb Free Plating ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance CH-1 BVDSS 30VD2D2D2D2 Fast Switching Characteristic RDS(ON) 18mD1D1D1D1 Surface Mount Package ID 8.5AG2G2CH-2 BVDSS 30VS2S2G1SO-8G1S1RDS(ON) 26mSO-8 S1Descript

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP6N2R0I , AP6N2R0CDT , AP6N1R7CDT , AP6N100JV , AP6N100J , AP6N100H , AP6N023H , AP6C036H , 5N50 , AP6980GN2 , AP6942GMT , AP6926GMT , AP6923GMT , AP6679BGP , AP65WN770P , AP65WN770IN , AP65WN770I .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7

 

 
Back to Top

 


 
.