AP6942GMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP6942GMT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PMPAK5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AP6942GMT

AP6942GMT Datasheet (PDF)

..1. Size:161K ape
ap6942gmt.pdf

AP6942GMT-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Good Thermal Performance RDS(ON) 9m Fast Switching Performance ID 15.8A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 23mS1 G1 S2 G

0.1. Size:128K ape
ap6942gmt-hf.pdf

AP6942GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Good Thermal Performance RDS(ON) 9m Fast Switching Performance ID 15.8A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 23mS1 G1 S2 G2Description ID -10.1AAP6942 series are from Advanced Powe

9.1. Size:87K ape
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AP6941GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 20V Good Thermal Performance RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 12A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 32mS1 G1 S2 G2Description ID -8.8AAP6941 series are from Advanced Power

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