AP6942GMT - аналоги и даташиты транзистора

 

AP6942GMT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP6942GMT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP6942GMT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6942GMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  ape
ap6942gmt.pdfpdf_icon

AP6942GMT

AP6942GMT-HFHalogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Good Thermal Performance RDS(ON) 9m Fast Switching Performance ID 15.8A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 23mS1 G1 S2 G

 0.1. Size:128K  ape
ap6942gmt-hf.pdfpdf_icon

AP6942GMT

AP6942GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 30V Good Thermal Performance RDS(ON) 9m Fast Switching Performance ID 15.8A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 23mS1 G1 S2 G2Description ID -10.1AAP6942 series are from Advanced Powe

 9.1. Size:87K  ape
ap6941gmt-hf.pdfpdf_icon

AP6942GMT

AP6941GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 20V Good Thermal Performance RDS(ON) 16m Fast Switching Performance ID 12A RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VRDS(ON) 32mS1 G1 S2 G2Description ID -8.8AAP6941 series are from Advanced Power

 9.2. Size:1596K  cn apm
ap6946a.pdfpdf_icon

AP6942GMT

AP6946A 60V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP6946A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =7.2A DS DR

Другие MOSFET... AP6N1R7CDT , AP6N100JV , AP6N100J , AP6N100H , AP6N023H , AP6C036H , AP6982GN2 , AP6980GN2 , IRFP064N , AP6926GMT , AP6923GMT , AP6679BGP , AP65WN770P , AP65WN770IN , AP65WN770I , AP65WN470I , AP65WN2K3L .

History: BLF6G10-45 | AP6923GMT | 24NM60L-TF1-T | SVS60R190FJDD4

 

 
Back to Top

 


 
.