AP6923GMT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP6923GMT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.13 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: PMPAK5X6
Búsqueda de reemplazo de AP6923GMT MOSFET
AP6923GMT Datasheet (PDF)
ap6923gmt.pdf

AP6923GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODED1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 11mG1Converter Application ID 32AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 7mG2Description ID 47AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2G2 S2 S2 S2
ap6923gmt-hf.pdf

AP6923GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODED1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 11mG1Converter Application ID 32AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 7mG2Description ID 47AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2G2 S2 S2 S2
ap6923o.pdf

AP6923OAdvanced Power P-CHANNEL WITH SCHOTTKY DIODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance A BVDSS -20VAAK Fast Switching Characteristic RDS(ON) 50mGS Included Schottky Diode ID -3.5ASTSSOP-8DDescriptionDAThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast
ap6926gmt.pdf

AP6926GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 40V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 40mG1Converter Application ID 15AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 40VRDS(ON) 20mG2Description ID 24AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2G2 S2 S
Otros transistores... AP6N100J , AP6N100H , AP6N023H , AP6C036H , AP6982GN2 , AP6980GN2 , AP6942GMT , AP6926GMT , IRF3205 , AP6679BGP , AP65WN770P , AP65WN770IN , AP65WN770I , AP65WN470I , AP65WN2K3L , AP65WN2K3I , AP65WN2K3H .
History: NCE70N1K1K | STL90N3LLH6 | AP72T02GH | STU336S
History: NCE70N1K1K | STL90N3LLH6 | AP72T02GH | STU336S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121