AP6923GMT - описание и поиск аналогов

 

AP6923GMT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6923GMT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.13 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP6923GMT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6923GMT даташит

 ..1. Size:206K  ape
ap6923gmt.pdfpdf_icon

AP6923GMT

AP6923GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH Electronics Corp. SCHOTTKY DIODE D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 11m G1 Converter Application ID 32A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 7m G2 Description ID 47A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide G2 G2 S2 S2 S2

 0.1. Size:130K  ape
ap6923gmt-hf.pdfpdf_icon

AP6923GMT

AP6923GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH Electronics Corp. SCHOTTKY DIODE D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 11m G1 Converter Application ID 32A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30V RDS(ON) 7m G2 Description ID 47A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide G2 G2 S2 S2 S2

 8.1. Size:72K  ape
ap6923o.pdfpdf_icon

AP6923GMT

AP6923O Advanced Power P-CHANNEL WITH SCHOTTKY DIODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance A BVDSS -20V A A K Fast Switching Characteristic RDS(ON) 50m G S Included Schottky Diode ID -3.5A S TSSOP-8 D Description D A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast

 9.1. Size:207K  ape
ap6926gmt.pdfpdf_icon

AP6923GMT

AP6926GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 40V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 40m G1 Converter Application ID 15A D2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 40V RDS(ON) 20m G2 Description ID 24A S2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide G2 G2 S2 S

Другие MOSFET... AP6N100J , AP6N100H , AP6N023H , AP6C036H , AP6982GN2 , AP6980GN2 , AP6942GMT , AP6926GMT , IRF3205 , AP6679BGP , AP65WN770P , AP65WN770IN , AP65WN770I , AP65WN470I , AP65WN2K3L , AP65WN2K3I , AP65WN2K3H .

History: AP6926GMT | FK3F0301

 

 

 

 

↑ Back to Top
.