AP6923GMT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP6923GMT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.13 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
trⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: PMPAK5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP6923GMT Datasheet (PDF)
ap6923gmt.pdf

AP6923GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODED1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 11mG1Converter Application ID 32AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 7mG2Description ID 47AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2G2 S2 S2 S2
ap6923gmt-hf.pdf

AP6923GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITHElectronics Corp. SCHOTTKY DIODED1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 11mG1Converter Application ID 32AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 30VRDS(ON) 7mG2Description ID 47AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2G2 S2 S2 S2
ap6923o.pdf

AP6923OAdvanced Power P-CHANNEL WITH SCHOTTKY DIODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance A BVDSS -20VAAK Fast Switching Characteristic RDS(ON) 50mGS Included Schottky Diode ID -3.5ASTSSOP-8DDescriptionDAThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast
ap6926gmt.pdf

AP6926GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 40V Easy for Synchronous Buck RDS(ON) 40mG1Converter Application ID 15AD2/S1 RoHS Compliant & Halogen-Free CH-2 BVDSS 40VRDS(ON) 20mG2Description ID 24AS2Advanced Power MOSFETs from APEC provideG2G2 S2 S
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: 10N60L-TQ2-R | SES760 | STP5NB40 | APT10040LVR | TK16A60W5 | IRL620PBF | 2SK3532
History: 10N60L-TQ2-R | SES760 | STP5NB40 | APT10040LVR | TK16A60W5 | IRL620PBF | 2SK3532



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121