IRFI614A Todos los transistores

 

IRFI614A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI614A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFI614A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  1
 irfi614a irfw614a.pdf pdf_icon

IRFI614A

 7.1. Size:286K  international rectifier
 irfi614g.pdf pdf_icon

IRFI614A

PD - 95605IRFI614GPbF Lead-Free7/28/04Document Number: 91145 www.vishay.com1IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com2IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com3IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com4IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com5IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com6IRFI614GPbFPeak Diode R

 7.2. Size:953K  vishay
 irfi614g sihfi614g.pdf pdf_icon

IRFI614A

IRFI614G, SiHFI614GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 2.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Low Thermal ResistanceConfiguration

 8.1. Size:205K  1
 irfi610a irfw610a.pdf pdf_icon

IRFI614A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFI520N , IRFI5210 , IRFI530A , IRFI530N , IRFI540A , IRFI540N , IRFI550A , IRFI610A , NCEP15T14 , IRFI614G , IRFI620A , IRFI620G , IRFI624A , IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A .

History: NTB6410AN | SDF1NA60 | FCP290N80

 

 
Back to Top

 


 
.