IRFI614A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI614A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IRFI614A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI614A даташит

 ..1. Size:209K  1
 irfi614a irfw614a.pdf pdf_icon

IRFI614A

 7.1. Size:286K  international rectifier
 irfi614g.pdf pdf_icon

IRFI614A

PD - 95605 IRFI614GPbF Lead-Free 7/28/04 Document Number 91145 www.vishay.com 1 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 2 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 3 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 4 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 5 IRFI614GPbF Document Number 91145 www.vishay.com 6 IRFI614GPbF Peak Diode R

 7.2. Size:953K  vishay
 irfi614g sihfi614g.pdf pdf_icon

IRFI614A

IRFI614G, SiHFI614G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 250 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 2.0 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 4.5 Low Thermal Resistance Configuration

 8.1. Size:205K  1
 irfi610a irfw610a.pdf pdf_icon

IRFI614A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI520N, IRFI5210, IRFI530A, IRFI530N, IRFI540A, IRFI540N, IRFI550A, IRFI610A, IRF1407, IRFI614G, IRFI620A, IRFI620G, IRFI624A, IRFI624G, IRFI630A, IRFI630G, IRFI634A