Справочник MOSFET. IRFI614A

 

IRFI614A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI614A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IRFI614A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI614A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  1
 irfi614a irfw614a.pdf pdf_icon

IRFI614A

 7.1. Size:286K  international rectifier
 irfi614g.pdf pdf_icon

IRFI614A

PD - 95605IRFI614GPbF Lead-Free7/28/04Document Number: 91145 www.vishay.com1IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com2IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com3IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com4IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com5IRFI614GPbFDocument Number: 91145 www.vishay.com6IRFI614GPbFPeak Diode R

 7.2. Size:953K  vishay
 irfi614g sihfi614g.pdf pdf_icon

IRFI614A

IRFI614G, SiHFI614GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 250Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 2.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Low Thermal ResistanceConfiguration

 8.1. Size:205K  1
 irfi610a irfw610a.pdf pdf_icon

IRFI614A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI520N , IRFI5210 , IRFI530A , IRFI530N , IRFI540A , IRFI540N , IRFI550A , IRFI610A , P0903BDG , IRFI614G , IRFI620A , IRFI620G , IRFI624A , IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A .

History: IRFU6215

 

 
Back to Top

 


 
.