IRFI620G MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFI620G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFI620G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IRFI620G datasheet

..1. Size:289K international rectifier
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PD - 95606 IRFI620GPbF Lead-Free 7/29/04 Document Number 91146 www.vishay.com 1 IRFI620GPbF Document Number 91146 www.vishay.com 2 IRFI620GPbF Document Number 91146 www.vishay.com 3 IRFI620GPbF Document Number 91146 www.vishay.com 4 IRFI620GPbF Document Number 91146 www.vishay.com 5 IRFI620GPbF Document Number 91146 www.vishay.com 6 IRFI620GPbF Peak Diode R

..2. Size:1751K vishay
irfi620g sihfi620g.pdf pdf_icon

IRFI620G, SiHFI620G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 200 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.80 f = 60 Hz) RoHS* Qg (Max.) (nC) 14 COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qgs (nC) 3.0 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 7.9 Low Thermal Resistance Configuration S

7.1. Size:210K 1
irfi620a irfw620a.pdf pdf_icon

8.1. Size:216K 1
irfi624a irfw624a.pdf pdf_icon

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